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理研計(jì)器|半導(dǎo)體工藝全流程之外延生長
發(fā)布時(shí)間：2023-06-14
每個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個(gè)工藝，我們將整個(gè)制造過程分為八個(gè)步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-外延生長-擴(kuò)散-離子注入。
為幫助大家了解和認(rèn)識半導(dǎo)體及相關(guān)工藝，我們將每期推送微信文章，為大家逐一介紹上述每個(gè)步驟。
如今隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，器件速度越來越快，存儲(chǔ)容量越來越大，半導(dǎo)體工藝中的關(guān)鍵尺寸也在不斷縮小，這也帶來了對光刻對準(zhǔn)越來越高的要求，比如像以前 0.35微米的產(chǎn)品如果光刻對偏的 0.01微米，不會(huì)有太大的影響，但如果是0.13 微米甚至更精密的產(chǎn)品0.01微米的偏差已經(jīng)會(huì)讓整個(gè)產(chǎn)品完全失效。
在這種背景下，外延生長作為一個(gè)必然會(huì)帶來圖形漂移的工藝，必須想辦法把漂移量穩(wěn)定控制在可接受的范圍內(nèi)，才能保證產(chǎn)品的穩(wěn)定，才不會(huì)影響后面的工藝。
今天，我們就帶大家了解一下半導(dǎo)體的“外延生長”工藝。